E+H 導波雷達物位計適用于所有液位測量和界面測量的基本應用，產(chǎn)品結構有6部分組合成：電子腔外殼、過(guò)程連接(法蘭)、纜式探頭、探頭末端的配置快、桿式探頭、同軸探頭。物位計改善和提高了化工、石油及天然氣、制藥、能源、源水和污水、食品、散料處理、紙漿及造紙、造船和海上運輸等領(lǐng)域的過(guò)程效益。同時(shí)可提供適用于在危險區域，衛生型場(chǎng)合，過(guò)溢保護和其它特殊應用場(chǎng)合使用的認證證書(shū)。

　　E+H 導波雷達物位計優(yōu)點(diǎn)：

　　1、 可靠的測量值，測量值不受介質(zhì)變化、溫度變化、氣體覆蓋或蒸汽的影響;

　　2、 適用性強，內置數據存儲器;

　　3、 直觀(guān)的菜單引導式操作，多種語(yǔ)言可選

　　4、 便于集成到控制或資產(chǎn)管理系統中

　　5、 精確的測量和過(guò)程診斷，便于快速決策

　　E+H 導波雷達物位Levelflex分為9個(gè)系列：FMP50、FMP51、FMP52、FMP53、FMP54、FMP55、FMP56、FMP57。

　　Levelflex FMP50適用于溫度、壓力或耐腐蝕性要求不高的測量場(chǎng)合，是儲罐以及公用設施等基本型應用的最佳選擇。采用多回波追蹤創(chuàng )新技術(shù)，為測量結果帶來(lái)高度可靠性，用于液體、漿料和泥漿的連續物位測量。

　　Levelflex FMP51適用于過(guò)程工業(yè)極端工況下的液位測量，如高溫、高壓等場(chǎng)合。硬件與軟件根據IEC 61508標準開(kāi)發(fā)，達到SIL3級別，主要用于液體、漿料和泥漿的連續物位測量以及界面測量。

　　Levelflex FMP52帶涂層的探桿，適用于腐蝕性液體測量，所有的接液部件均采用FDA認證的材質(zhì)，用于液體、漿料和泥漿的連續性物位測量，也用于界面測量。

　　Levelflex FMP53用于衛生要求高的食品和生命科學(xué)行業(yè)的連續物位測量，符合ASME BPE和USP VI級的衛生要求。FMP53不需要從過(guò)程中拆除，可在原位清洗，具有獨特的成本優(yōu)勢。

　　Levelflex FMP54特別適用于油氣、化工和電力等行業(yè)的高溫高壓測量場(chǎng)合。采用陶瓷-石墨密封的過(guò)程連接，能保證在高溫高壓場(chǎng)合的使用安全同時(shí)，氣密饋通能提供更高的安全性。在高壓的帶氣相層的液位測量中，只有帶氣相補償技術(shù)的FMP54才能提供準確可靠的測量結果。

　　Levelflex FMP55適用于界面測量，采用傳感器融合技術(shù)，是全球首創(chuàng )的融合電容測量和導向雷達技術(shù)為一體的儀表。FMP55能確保在有乳劑層的工況下，連續穩定的獲得液位和界面測量值。FMP55多參數儀表在界面測量領(lǐng)域，特別是石油天然氣、化工和石化行業(yè)成為新的標桿產(chǎn)品。

　　Levelflex FMP56適用于固體散料物位測量的經(jīng)濟、高效的基本型儀表，即使在粉塵嚴重的狹窄貯倉或有障礙物的船艙，FMP56也能提供最穩定的測量值。是用于粉狀、粒狀等固體散料連續物位測量。

　　Levelflex FMP57適用于固體散料物位測量，滿(mǎn)足最高測量要求，是高貯倉、高煤倉或堆場(chǎng)等測量場(chǎng)合的最佳選擇。FMP57提供長(cháng)達45米的纜式探桿，適合高貯倉的測量。

　　E+H 導波雷達物位計測量原理：

　　Levelflex是基于ToF原理(行程時(shí)間)工作的“俯視式”測量系統。測量參考點(diǎn)至介質(zhì)表面間的距 離。向探頭發(fā)射高頻脈沖信號，信號沿探頭傳播。脈沖信號在介質(zhì)表面發(fā)生反射，反射信號被儀 表接收，并被轉換成物位信息。此測量方法即為T(mén)DR法(時(shí)域反射法)。

　　E+H 導波雷達物位計測量原理：

　　是依據時(shí)域反射原理(TDR)為基礎的雷達物位計，雷達物位計的電磁脈沖以光速沿鋼纜或探棒傳播，當遇到被測介質(zhì)表面時(shí)，雷達物位計的部分脈沖被反射形成回波并沿相同路經(jīng)返回到脈沖發(fā)射裝置，發(fā)射裝置與被測介質(zhì)表面的距離同脈沖在其間的傳播時(shí)間成正比，經(jīng)計算得出液位高度。

　　E+H 導波雷達物位計界面測量：

　　高頻脈沖信號到達介質(zhì)表面，僅部分脈沖信號發(fā)生反射。上層介質(zhì)的介電常數DC1較小時(shí)，未發(fā) 生反射的脈沖信號將沿探頭繼續向下傳播。在兩種介質(zhì)的界面處發(fā)生第二次反射(在下層介質(zhì)的介 電常數DC2大于上層介質(zhì)的介電常數)。基于行程時(shí)間原理可以確定儀表至界面間的距離。同時(shí)， 還需要考慮脈沖信號在上層介質(zhì)中傳播的延遲時(shí)間。介質(zhì)的介電常數(DC)直接影響高頻脈沖信號的反射率。測量大介電常數(DC)的介質(zhì)時(shí)(例如：水和 氨水)，脈沖反射信號強;相反，測量小介電常數(DC)的介質(zhì)時(shí)(例如：碳氫化合物)，脈沖反射信 號弱。

　　E+H 導波雷達物位計相關(guān)型號：

　　E+H 導波雷達物位計相關(guān)圖片：